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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(g嫦娥五号发射时间地点在哪 嫦娥五号还在工作吗è)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国嫦娥五号发射时间地点在哪 嫦娥五号还在工作吗市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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