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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施印信是什么意思？ 印信和书信一样吗(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)印信是什么意思？ 印信和书信一样吗存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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