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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市秋处露秋寒霜降是指哪六个节气？ 秋处露秋寒霜降是哪首诗(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至(秋处露秋寒霜降是指哪六个节气？ 秋处露秋寒霜降是哪首诗zhì)少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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