大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写p>

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写rong>国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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