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蒂佳婷属于什么档次,蒂佳婷面膜怎么样 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险,影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全,是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú),欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险,维(wéi)护国(guó)家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》,网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》,对(duì)美(měi)光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu),也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中,江波(bō)龙、蒂佳婷属于什么档次,蒂佳婷面膜怎么样佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng),至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势,公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

<蒂佳婷属于什么档次,蒂佳婷面膜怎么样p>  有券商此前(qián)就分析,如果美光在(zài)中国区销售受到限制,或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜(mó)沉积)等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升,以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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