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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全错一个题就往阴里装一支笔，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micro错一个题就往阴里装一支笔n）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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