大家好，来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(h皇太极的父皇是谁，清朝历代帝王顺序表ù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　皇太极的父皇是谁，清朝历代帝王顺序表ong>分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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