大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi拐点和驻点的区别是什么意思，拐点和驻点的关系)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持拐点和驻点的区别是什么意思，拐点和驻点的关系良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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