大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、77年属什么今年多大，77年属什么今年多大2023西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，77年属什么今年多大，77年属什么今年多大2023采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄(bá77年属什么今年多大，77年属什么今年多大2023o)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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