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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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