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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 S没有罩子的瑜伽老师，瑜伽老师没带胸罩K 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(s没有罩子的瑜伽老师，瑜伽老师没带胸罩hè)备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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