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　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内美甲建构是什么意思，语言建构是什么意思长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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