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吴亦凡资产多少亿

吴亦凡资产多少亿 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

  审查(chá)发现,美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn),对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险,影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规(guī),我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōn吴亦凡资产多少亿g)司产品。

  此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查,目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信网发文称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险,维护国(guó)家安全,依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

  半导体(tǐ)突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头,也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(吴亦凡资产多少亿zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司(sī)中,江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降,至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì),公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。<吴亦凡资产多少亿/p>

  有券(quàn)商此前就分析,如果美(měi)光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì),或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo),催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单,设备国产化(huà)进(jìn)程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(薄(báo)膜(mó)沉积(jī))等相关公司(sī)份额提升(shēng),以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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