大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国(g根号20等于多少 化简 根号怎么算uó)关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约1根号20等于多少 化简 根号怎么算1％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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