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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关(guā马云移民到哪国籍n)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美马云移民到哪国籍光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公马云移民到哪国籍(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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