大(dà)家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)三生三世枕上书白滚滚的真身是什么，三生三世枕上书中白滚滚的真身是什么服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％三生三世枕上书白滚滚的真身是什么，三生三世枕上书中白滚滚的真身是什么ht: 24px;'>三生三世枕上书白滚滚的真身是什么，三生三世枕上书中白滚滚的真身是什么降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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