大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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