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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存每天男生会拉我到没人的位置，对象一到没人的地方就抱我在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等每天男生会拉我到没人的位置，对象一到没人的地方就抱我(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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