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　　美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(z1039违章代码是什么意思 1039违章代码扣分吗ào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存1039违章代码是什么意思 1039违章代码扣分吗储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、1039违章代码是什么意思 1039违章代码扣分吗长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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