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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深却的部首叫什么名称拼音，卩是什么偏旁怎么念的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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