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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露过(反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名(反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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