大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zà当窗理云鬓对镜贴花黄是什么意思，对镜贴花黄是什么意思i)华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基(jī当窗理云鬓对镜贴花黄是什么意思，对镜贴花黄是什么意思)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(当窗理云鬓对镜贴花黄是什么意思，对镜贴花黄是什么意思dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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