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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全(quán善作善成意思久久为功，善作善成意思是什么)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi善作善成意思久久为功，善作善成意思是什么)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qiá善作善成意思久久为功，善作善成意思是什么n)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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