大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(l给女朋友的微信备注有哪些，给女朋友微信备注什么ái)自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经给女朋友的微信备注有哪些，给女朋友微信备注什么(jīng)在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原给女朋友的微信备注有哪些，给女朋友微信备注什么(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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