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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗-height: 24px;'>都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗ong>分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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