大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美青岛农业大学专科在哪个校区，青岛农业大学专科在哪里？光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存青岛农业大学专科在哪个校区，青岛农业大学专科在哪里？储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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