大家好，来看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全压在玻璃窗边c，在窗户边c。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络压在玻璃窗边c，在窗户边c安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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