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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运正负数加减法则顺口溜有哪些题目，正负数加减法则顺口溜有哪些呢营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公正负数加减法则顺口溜有哪些题目，正负数加减法则顺口溜有哪些呢室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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