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50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发(fā)消息(xī)。

  美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

  审查发现(xiàn),美光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī),我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查,目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全,是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放,只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

  半导体突发(fā)!中国出(chū)手(shǒu):停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险,维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán),依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对(duì)美光公司(sī)(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 O50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多mdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì),江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约(yuē),确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如(rú)果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì),或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单,设(shè)备国产化进程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公司份额(é)提升,以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

 

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